硅片厚度測量儀是采用紅外干涉技術的一款測量儀器。它能夠精確測量硅片厚度和測量TTV總厚度變化，也能實時測量超薄晶圓厚度（掩膜過程中的晶圓），硅片厚度測試儀非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等厚度測量應用。硅片厚度測量儀具有突出優勢，諸多材料例如Si、GaAs、InP、SiC、玻璃、石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測量，標準的測量空間分辨率可達50微米，更小的測量點也可以做到。目前，儀器可廣泛用于MEMS、晶圓、電子器件、膜厚、激光打標雕刻等工序或器件的測量。該硅...

電容式位移傳感器基于平板電容原理。電容的兩極分別是傳感器和與之相對的被測物體。如果有穩定交流電通過傳感器，輸出交流電的電壓會與傳感器到被測物體之間的距離成正比關系，從而可以通過測量電壓的變化得到距離信息。電容位移傳感器是一種非接觸電容式原理的精密測量儀器，具有一般非接觸式儀器所共有的無磨擦、無損磨特點外，還具有信噪比大，靈敏度高，零漂小，頻響寬，非線性小，精度穩定性好，抗電磁干擾能力強和使用操作方便等優點。實際應用當中電容式傳感器可以實現近乎的線性測量。但是，電容傳感器要求探...

顯微鏡秒變光刻機！--顯微鏡LED曝光單元電子顯微鏡和光刻機，兩個看上去風馬牛不相及的東西，是如何結合到一起的？我們向您介紹一款無掩膜顯微鏡LED曝光單元UTA-3A-53M，能令顯微鏡秒變光刻機！該設備是一種具有高性價比的曝光裝置，其DLP固定在顯微鏡的三目鏡部分，而照相機則固定在目鏡部分。可以將專用程序產生的圖案投影并在顯微鏡下曝光在樣品上。＜特征＞?顯微鏡LED曝光單元UTA系列是用于光刻的無掩模圖案投影曝光設備。?使用金屬顯微鏡和LED光源DLP投影儀，將分辨率為幾μ...

FR-Scanner-AIO-Mic-XY200:微米級定位精度自動化薄膜厚度測繪系統介紹FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動薄膜厚度測繪系統，用于全自動圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測量。電動X-Y載物臺提供適用尺寸200mmx200mm毫米的行程,通過真空固定在載臺上時進行精確測量。可依測量厚度和波長范圍應用需求可在在200-1700nm光譜范圍內提供各種光學配置.應用o大學&研究實驗室o半導體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）oMEMS器件（光刻...

1.摘要本研究探討了同質外延生長的4H-SiC晶片表面堆垛層錯(SF)的形貌特征和起因。依據表面缺陷檢測設備KLA-TencorCS920的光致發光(PL)通道和形貌通道的特點,將SF分為五類。其中I類SF在PL通道圖中顯示為梯形,在形貌圖中不顯示;II類SF在PL通道圖中顯示為三角形,且與I類SF重合,在形貌圖中顯示為胡蘿卜形貌。III-V類SF在PL通道圖中均顯示為三角形,在形貌圖中分別顯示為胡蘿卜、無對應圖像或三角形。研究結果表明,I類SF起源于襯底的基平面位錯(BPD...